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SK海力士宣布:全球首款128層4D NAND下半年開賣

作者:芯科技 發布日期:2019年6月27日 星期四

 SK海力士于26日宣布,將量產全球首款128層的1Tb(Terabit) TLC 4D NAND閃存,并計劃下半年開始銷售。

這是SK海力士去年10月發表96層4D NAND后,時隔8個月再次發表新產品。據韓媒《朝鮮日報》報導,SK海力士為使用TLC設計(每個Cell單元上安裝3bit)開發新產品,應用垂直蝕刻、多層薄膜顆粒形成、低電力回路設計等技術,制造出堆棧3600億以上NAND顆粒、128層的1Tb產品,不僅達到業界最高堆棧數,也超越三星電子量產的90層NAND。

雖然先前已有96層QLC 1Tb規格的產品,但TLC的性能、處理速度皆優于QLC,在NAND市場中,TLC產品市占率更達85%。因此SK海力士首次以TLC技術開發出高容量NAND,備受外界關注。

特別的是,雖然該產品將原本96層NAND產品增加32層,制程手續卻減少5%,加上128層4D NAND的每硅片位元生產率比96層4D NAND高4成,即使不使用PUC技術(外圍電路),128層4D NAND的位元生產率仍然能提高15%以上。SK海力士對此說明,通過此方式能節省轉換新制程的花費,和上一代轉換投資費用相比,約能減少6成。《朝鮮日報》指出,這是SK海力士活用去年10月開發的4D NAND工藝平臺,并優化制程的成果。

SK海力士計劃下半年開始銷售128層4D NAND閃存。SK海力士相關人士表示,該產品即使在低電壓(1.2V)環境,也能達到1400Mbps數據傳輸速度,適合應用在高性能、低耗電的移動解決方案,以及企業用SSD(固態硬盤)中。 

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